双光束双曝光与四光束单曝光干涉光刻方法的比较

• 作者: 冯伯儒 张锦 郭永康
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 干涉光刻 无掩模 双光束双曝光 四光束单曝光
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 21-24,62
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2005.12.006

摘要

双光束双曝光和四光束单曝光是无掩模激光干涉光刻的两种典型方法,都容易利用现有光刻工艺,在不需掩模和高精度光刻物镜的情况下,用简单廉价光学系统在大视场和深曝光场内形成孔阵、点阵或锥阵等周期性图形.双光束双曝光法得到的阵列图形周期极限为λ/2;四光束单曝光的周期略大,为前者的√2倍.模拟和实验结果表明,通过控制曝光和显影工艺,双光束双曝光较四光束单曝光能更灵活地得到孔阵或点阵,而四光束单曝光得到的图形孔与孔之间没有鞍点,较双光束双曝光形成的孔侧壁更陡.这两种方法在需要在大面积范围内形成孔或点这类周期阵列图形的微电子和光电子器件的制造领域有很好的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭永康	四川大学物理系	87	836	16.0	21.0
2	张锦	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	26	204	8.0	13.0
6	冯伯儒	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	30	293	9.0	16.0