无源矩阵驱动高分子发光显示屏的典型串扰分析

• 作者: 彭俊彪 郑晓斌 韩绍虎
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 无源驱动 行串扰 列串扰 有机电致发光器件
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 99-104
• 页数: 7页
• 分类号: TN383.1|TN873.3
• 字数: 3158字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.01.018

摘要

无源驱动对高分子发光显示屏质量要求较高,每个像素都应具有完好的二极管特性.为了在选通像素时,消除D.Braun串扰[1],无源驱动必须断绝选通像素与非选通像素之间的关联,所以需空闲行列上加以反向偏压.但研究表明,对于整流特性比较低的像素,在行扫描的空闲时间内,使驱动IC的VDD与VEE短路,产生相当大的漏电流并在显示屏的电阻网络上形成异常的压降,从而改变空闲行列上的原有电位.这样也就改变了非选通像素的偏置状态,使之正偏导通发光,形成了新的串扰.其表现为两种亮线:一是列串扰,亮度分布与阳极ITO及金属引线电阻有关;二是行串扰.从实验上讨论此两种串扰的产生原因,并提出减缓串扰的可能性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭俊彪	华南理工大学高分子光电材料及器件研究所	63	524	15.0	20.0
5	韩绍虎	华南理工大学高分子光电材料及器件研究所	3	2	1.0	1.0
7	郑晓斌	华南理工大学高分子光电材料及器件研究所	2	18	1.0	2.0