降低CMP用SiO2溶胶中金属离子含量及其机理探析

• 作者: 刘玉岭 张元 张建新 王娟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 纳米磨料 SiO2溶胶 离子交换
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 340-344
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 4109字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2005.07.011

摘要

探析了阳、阴离子树脂对SiO2溶胶中金属离子交换去除的机理,确定阳-阴-阳三步法对SiO2溶胶进行金属离子去除,而后由有机碱调节pH值至碱性稳定区,从而制得高纯度、高稳定性微电子CMP用SiO2溶胶产品.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王娟	河北工业大学微电子研究所	40	220	8.0	12.0
3	张建新	河北工业大学微电子研究所	45	348	10.0	15.0
4	张元	河北工业大学微电子研究所	1	2	1.0	1.0