Si5++He相互作用时双活跃电子势能的计算

• 作者: WONG Kin-shun 李勇 王利光 陈禾
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si5+离子 He原子 相互作用 势能
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 187-191
• 页数: 5页
• 分类号: O562.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2005.02.001

摘要

利用附加电子转移因子和开关函数的半经典近似和量子分子轨道方法,在0.3～3.0 KeV能区和2.0～20.0(a.u.)核间距的条件下,对Si5+离子与He原子相互作用过程中5个singlet 态和5个triplet态的双电子捕获势能进行了理论计算.通过参数优化,在比较了基通道电子转移势能和实验值之后,研究了主通道的电子转移势能.其结果说明了这一动力学过程中的避交叉(avoided crossings)性质,给出了双电子容易被捕获的不同核间距离点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王利光	江南大学理学院	75	142	6.0	7.0
2	李勇	清华大学精密仪器与机械学系	207	2161	23.0	35.0
3	陈禾	清华大学精密仪器与机械学系	8	64	2.0	8.0
4	WONG Kin-shun	新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院	1	0	0.0	0.0