808 nm大功率半导体激光器的加速老化实验

• 作者: 刘云 单肖楠 套格套 孙艳芳 尧舜 王立军 王超 路国光
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 大功率 半导体激光器 加速老化 可靠性 灾变退化
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 97-99
• 页数: 3页
• 分类号: TN365
• 字数: 1708字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.02.004

摘要

对InGaAsP/GaAs有源区无铝的808 nm大功率半导体激光器进行了高温恒流加速老化实验,得到了器件在高温条件下的寿命,利用外推公式推算出激光器在室温条件下工作的寿命可超过30000 h.讨论了实验中出现的灾变退化现象,提出了防止灾变退化的几种方法.