ILGAR法制备CdS薄膜新工艺的研究

• 作者: 刘晓新 武卫兵 程志捷 邱继军 靳正国
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 化学
• 关键词: CdS薄膜 ILGAR法制备 热处理
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 371-375
• 页数: 5页
• 分类号: O614.242|O484.4
• 字数: 2547字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2005.03.015

摘要

采用一种薄膜制备的新方法-离子层气相反应法(ILGAR),以CdCl2为前驱体,H2S为硫源制备了CdS薄膜.利用XRD、SEM、AFM、XPS及UV-VIS透射光谱等测试分析方法对薄膜的晶型、表面化学组成、表面形貌、膜厚增长速度及光学性能进行了研究.实验结果表明:ILGAR法制备的CdS薄膜表面较致密、均匀、附着性好;在0.05MCdCl2前驱体溶液浸渍处理,薄膜以～2.8nm/cycle的恒定速率增长,且薄膜晶体沿立方(111)面具有明显的择优取向生长;400℃热处理1h,发生立方→六方晶型转变,最终为六方与立方混相结构,择优方向转为六方(002)面;薄膜经热处理后在可见光处的吸收峰发生红移,其禁带宽度降低,并且会随着膜厚的增加进一步降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	靳正国	先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室天津大学材料学院	10	154	7.0	10.0
2	邱继军	先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室天津大学材料学院	1	2	1.0	1.0
3	武卫兵	先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室天津大学材料学院	1	2	1.0	1.0
4	刘晓新	先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室天津大学材料学院	7	110	6.0	7.0
5	程志捷	先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室天津大学材料学院	5	102	4.0	5.0