Y掺杂Al2O3高k栅介质薄膜的制备及性能研究

• 作者: 兰伟 王印月 耿伟刚 郭得峰 黄春明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高k栅介质 掺杂氧化铝 射频反应溅射
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5901-5906
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4101字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.12.068

摘要

利用射频反应共溅射方法制备了Y掺杂Al2O3电介质薄膜,用掠入射x射线衍射检测了薄膜的结构,用高分辨率扫描电子显微镜(HRSEM)、原子力显微镜(AFM)观察了薄膜断面和表面形貌,用高频C-V和变频C-V及J-V测量了样品的电学特性.结果表明,Y的掺入使电介质薄膜的介电常数k有了很大提高(8.14-11.8),并体现出了较好的介电特性.分析认为:与氧具有较大电负性差的Y离子的加入,增大了薄膜中的金属-氧键(M-O)的强度;同时,Y的加入使Al2O3的结构和原子配位发生了改变,从而提高了离子极化对薄膜介电常数的贡献.退火前后的XRD谱均显示薄膜为非晶态;HRSEM断面和AFM形貌像显示所制备的薄膜非常平整,能够满足器件要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王印月	兰州大学物理系	39	567	15.0	23.0
2	郭得峰	兰州大学物理系	2	6	2.0	2.0
6	耿伟刚	兰州大学物理系	2	14	2.0	2.0
7	兰伟	兰州大学物理系	15	168	6.0	12.0
8	黄春明	兰州大学物理系	3	73	3.0	3.0