掺镧钛酸钡陶瓷晶界的再氧化

• 作者: LANGHAMMER H T 蒲永平 陈寿田
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 掺镧钛酸钡陶瓷 晶界再氧化 正温度系数电阻效应
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 页码范围: 1237-1242
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174
• 字数: 3229字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2005.10.012

摘要

掺La的BaTiO3陶瓷在H2和Ar(体积比1:99)的还原气氛下烧结后,在氧分压p(O2)=260 Pa的气氛(Ar和O2的混合气体)下进行氧化,测量了吸氧量不同时的复阻抗图谱,研究了再氧化过程中晶粒和晶界的吸附氧对电阻率的影响.结果表明:在还原气氛下烧结可以扩展有效施主掺杂浓度的范围,通过晶粒的异常生长,制备出高施主掺杂量(10%,摩尔分数)的半导性BaTiO3陶瓷.再氧化过程中,随氧化温度的升高(1 017～1 380℃),晶界吸附氧的量增大,晶界处的晶界势垒包括两部分:外部晶界吸收氧原子充当表面受主态;内部晶界在氧化过程中被氧化形成正离子空位(Ti空位)充当受主态,从而提高了受主态密度,导致样品的正温度系数电阻效应增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈寿田	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	95	1522	23.0	33.0
2	蒲永平	陕西科技大学材料科学与工程学院	83	448	12.0	16.0