钛酸钡陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响

• 作者: 赵双群
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 钛酸钡陶瓷 离子缺位 势垒 施主
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 20,23
• 页数: 2页
• 分类号: TM283
• 字数: 1995字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2001.04.010

摘要

利用电容-电压关系研究了施主Nb掺杂BaTiO3陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响,得出了样品在不同冷却速率下的晶界势垒高度和载流子浓度,其值与施主掺杂含量和样品的冷却速率相关,此结果可由在高、低施主掺杂含量下,晶粒边界处和晶粒体离子缺位的区别来解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵双群	宁夏大学物理与电气信息工程系	32	436	12.0	20.0