刻蚀端面AlGaInAs/AlInAs激光器的制作与特性

• 作者: 孙长征 熊兵 王健 罗毅 郝智彪
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光技术 刻蚀端面激光器 AlGaInAs Cl2/BCl3/CH4 感应耦合等离子体
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 激光器件
• 页码范围: 1031-1034
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1551字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2005.08.004

摘要

利用Cl2/BCl3/CH4电感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,实现了对AIGaInAs,InP材料的非选择性刻蚀.AlGaInAs与InP的刻蚀速率分别为820 nm/min与770 nm/min,获得了刻蚀深度为4.9μm,垂直光滑的AlGaInAs/AlInAs激光器的刻蚀端面.在此基础上制作出宽接触的刻蚀端面AlGaInAs/AlInAs激光器,实现了室温脉冲激射,其阈值电流和微分量子效率与传统的解理端面激光器基本相当.并通过刻蚀端面与解理端面激光器特性的比较(包括电流-电压、电流-输出光功率以及远场特性),分析了刻蚀端面的引入对激光器特性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝智彪	清华大学电子工程系集成光电子国家重点实验室	12	34	2.0	5.0
2	孙长征	清华大学电子工程系集成光电子国家重点实验室	22	73	3.0	8.0
3	王健	清华大学电子工程系集成光电子国家重点实验室	57	1058	14.0	32.0
4	罗毅	清华大学电子工程系集成光电子国家重点实验室	38	223	8.0	14.0
5	熊兵	清华大学电子工程系集成光电子国家重点实验室	18	13	2.0	2.0