非对称型IGBT的低温特性研究

• 作者: 丘明 姚志豪 张玉林 杨广辉 胡高宏
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 低温 IGBT NPT
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 1012-1016
• 页数: 5页
• 分类号: O51
• 字数: 1707字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.117

摘要

研究表明,半导体材料在低温环境下性能可以得到很大改善.功率MOSFET低温下的优异特性已被深入揭示.本文研究了NPT型IGBT在77～300K之间的特性,实验表明,低温下NPT型IGBT的通态压降,开关损耗都有明显下降,关断拖尾现象也得到明显改善,而门槛电压略有上升.在此基础上,分析了其低温特性的物理机制以及在超导领域的潜在应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉林	中国科学院电工研究所	17	23	3.0	4.0
2	丘明	中国科学院电工研究所	20	74	5.0	8.0
3	姚志豪	中国科学院电工研究所	4	9	2.0	2.0
4	杨广辉		5	11	2.0	3.0
5	胡高宏		4	6	2.0	2.0