SiC薄膜的热辐射特性研究

• 作者: 梁新刚 韩茂华 黄勇
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 化学
• 关键词: 碳化硅 薄膜 热辐射
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 588-591
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 3971字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2005.06.015

摘要

计算了不同厚度的碳化硅(SiC)薄膜的吸收率, 发现厚度在几十至100μm、上下表面平行的碳SiC薄膜的热辐射具有良好的干涉性质. 由于SiC独特的光学性质, 薄膜对10 μm的入射波吸收率达到0.98, 接近黑体的吸收率; 而对于10.5至12.4μm波段的热辐射, 又几乎变得不吸收. 计算还表明, SiC薄膜的半球发射率跟温度有关, 在300至500K之间, 半球发射率比较高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄勇	清华大学航天航空学院	173	2711	27.0	42.0
2	梁新刚	清华大学航天航空学院	115	865	16.0	23.0
3	韩茂华	清华大学航天航空学院	2	36	2.0	2.0