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摘要:
针对SDRAM的读写操作具有一定的流水特性,"Garfield"的EMI(外部存储接口)设计中加入了指令缓冲(先入先出,FIFO),充分利用SDRAM的Burst模式,在处理器进行指令预取时,减少指令读取的平均等待时间.但这种方法的关键问题在于,如何选择恰当的指令缓冲深度,从而最大可能地提高整个芯片的执行效率.本文提出了一种基于软件模型来评估.首先介绍了为什么要在基于ARM7TDMI的外部存储器接口中插入指令FIFO,及如何通过软件建模的方法,用指令集模拟器和存储子系统模型模拟真实硬件环境.然后探讨了采用什么标准去评估指令执行效率的提高,最后通过实验数据得到对SDRAM指令FIFO的性能的评估.
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文献信息
篇名 基于软件模型的SDRAM指令FIFO的性能评估
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 指令集模拟器 外部存储器接口 指令FIFO 效率
年,卷(期) 2005,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 188-191
页数 4页 分类号 TP311
字数 3114字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.01.048
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 凌明 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 76 344 10.0 14.0
2 杨圃 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 1 2 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
指令集模拟器
外部存储器接口
指令FIFO
效率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
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27643
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