基于SRAM高速灵敏放大器的分析与设计

• 作者: 刘凡 吴金 姚建楠 季科夫 黄晶生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SOC 存储器 SRAM 灵敏放大器
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 651-654
• 页数: 4页
• 分类号: TN492
• 字数: 2231字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.03.049

摘要

在SOC系统级芯片中,存储器占有很重要的地位.随着电路频率的提高,存储器的读写操作速度也要求相应的加快.SRAM中的灵敏放大器通过检测位线上的微小变化并放大到较大的信号摆幅以减少延时,降低功耗.本文提出了一种两级串联结构的SRAM高性能灵敏放大器的设计方法,降低了对信号的反应时间,提高了抗干扰能力,适应高频电路的读写操作.