黄铜矿半导体DMS的第一原理计算

• 作者: 曾永志 黄美纯
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 稀磁半导体(DMS) 过渡金属 双交换作用
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 172-175
• 页数: 4页
• 分类号: O481.1|O631.23
• 字数: 3669字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.2005.02.007

摘要

为了寻找新的高Tc的稀磁半导体(DMS),利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co或Ni)掺杂的II-IV-V2(CdGeP2和ZnGeP2)以及I-III-VI2(CuGaS2和CuGaSe2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算.结果发现:V或Cr 掺杂的II-IV-V2将出现铁磁(FM)状态,而Mn、Fe或者Co掺杂的II-IV-V2将出现反铁磁(AFM)状态,Ni掺杂时,DMS的磁性非常不稳定;在TM掺杂的I-III-VI2的DMS中,Cr、Mn掺杂的CuGaS2和CuGaSe2将表现为FM状态,而当V、Fe、Co或Ni掺杂时,Cu(Ga,TM)S2和Cu(Ga,TM)Se2则表现了AFM性质.Cr掺杂的I-IV-V2以及I-III-VI2黄铜矿半导体将可能出现较高的居里温度(Tc).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄美纯	厦门大学物理学系	35	129	7.0	8.0
2	曾永志	厦门大学物理学系	9	28	3.0	5.0