高分子量聚碳硅烷的合成及其表征

• 作者: 宋永才 王应德 程祥珍 肖加余 谢征芳
• 来源期刊: 高技术通讯
• 关键词: 低分子量聚碳硅烷 高压 高分子量
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 新材料技术
• 页码范围: 60-63
• 页数: 4页
• 字数: 3309字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-0470.2005.03.013

摘要

以常压合成的低分子量聚碳硅烷(PCS)为原料,分别在470℃高压及常压下反应一定时间,制备了高分子量PCS先驱体.研究了反应时间对PCS分子量及其分布、软化点、Si-H键含量及可纺性的影响.研究表明,随着反应时间的延长,PCS低分子量部分逐渐减少,高分子量部分逐渐增加,分子量分布逐渐变宽,从而PCS分子量逐渐增大,软化点逐渐升高,Si-H键含量逐渐降低,可纺性逐渐变差.在相同的反应时间下,高压比常压对PCS分子量的增长更有利.在470℃高压或常压下反应时间2～3h时,可获得分子量高、可纺性良好的PCS先驱体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢征芳	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	40	404	12.0	18.0
2	宋永才	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	86	796	14.0	22.0
3	肖加余	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	170	1846	21.0	32.0
4	王应德	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	51	424	10.0	17.0
5	程祥珍	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	14	83	6.0	8.0