离子络合法制备ZnO纳米线

• 作者: 支华军 桑文斌 贺英 颜莉莉
• 来源期刊: 化工新型材料
• 关键词: ZnO 纳米线 离子络合法
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 新材料与新技术
• 页码范围: 21-23,32
• 页数: 4页
• 字数: 2252字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3536.2005.01.006

摘要

通过高聚物PAM与锌盐发生离子络合反应,将络合溶液涂膜在单晶硅片上,再通过烧结使之生长出ZnO纳米线.用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)对所得样品的结构与形貌进行分析表征,结果表明ZnO纳米线直径约60～80 nm、长度约1～2μm,单晶,为六方晶系,且沿c轴方向优先生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺英	上海大学材料科学与工程学院高分子材料系	32	222	9.0	13.0
2	桑文斌	上海大学材料科学与工程学院高分子材料系	53	535	15.0	20.0
3	支华军	上海大学材料科学与工程学院高分子材料系	3	46	3.0	3.0
4	颜莉莉	上海大学材料科学与工程学院高分子材料系	3	37	3.0	3.0