高阶阈值上电离的量子电动力学理论

• 作者: 余晓光 傅盘铭 李晓峰 王兵兵 程太旺
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 阈值上电离 再散射 跃迁概率
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 3542-3547
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3606字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.08.012

摘要

用非微扰量子电动力学理论研究一个由再散射产生的高阶阈值上电离(ATI).利用形式散射理论给出了高阶ATI谱的解析形式,并且讨论了在高阶ATI中不同ATI通道的干涉效应和光电子以不同角度入射时的高阶ATI谱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晓峰	中国科学院物理研究所	121	1599	22.0	34.0
2	余晓光	中国科学院物理研究所	12	35	4.0	5.0
4	傅盘铭	中国科学院物理研究所	20	28	3.0	4.0
7	王兵兵	中国科学院物理研究所	8	5	1.0	2.0
8	程太旺	中国科学院物理研究所	3	3	1.0	1.0