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CoCrPt/CrTi玻璃盘基硬盘记录介质的制备与性能
CoCrPt/CrTi玻璃盘基硬盘记录介质的制备与性能
作者:
万仞
李佐宜
游龙
胡用时
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
硬盘记录介质
射频磁控溅射
玻璃盘基
高密度
摘要:
采用射频磁控溅射方法制备了CoCrPt/CrTi玻璃盘基高密度硬盘薄膜记录介质,讨论并分析了溅射气体的气压、基片温度、底层和磁性层组分对高密度硬盘记录介质性能的影响,给出了介质的底层、磁记录层的最佳组分和溅射中最佳工艺参数范围.其最佳组分、结构与工艺参数为:Co68Cr17Pt15/Cr85Ti15双层膜结构,氩气压为0.56~0.60Pa,在550℃纯N2保护下保温1 h后在炉内自然冷却至室温.实验结果表明采用优化工艺条件,并经过退火处理后可以得到适于巨磁电阻磁头读写的高密度硬盘记录介质.
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文献信息
篇名
CoCrPt/CrTi玻璃盘基硬盘记录介质的制备与性能
来源期刊
华中科技大学学报(自然科学版)
学科
工学
关键词
硬盘记录介质
射频磁控溅射
玻璃盘基
高密度
年,卷(期)
2005,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
47-49
页数
3页
分类号
TM21
字数
1653字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1671-4512.2005.01.016
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李佐宜
华中科技大学电子科学与技术系
59
267
7.0
13.0
2
胡用时
华中科技大学电子科学与技术系
11
33
3.0
5.0
3
游龙
华中科技大学电子科学与技术系
7
20
3.0
4.0
4
万仞
华中科技大学电子科学与技术系
3
5
2.0
2.0
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参考文献(0)
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研究主题发展历程
节点文献
硬盘记录介质
射频磁控溅射
玻璃盘基
高密度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
华中科技大学学报(自然科学版)
主办单位:
华中科技大学
出版周期:
月刊
ISSN:
1671-4512
CN:
42-1658/N
开本:
大16开
出版地:
武汉市珞喻路1037号
邮发代号:
38-9
创刊时间:
1973
语种:
chi
出版文献量(篇)
9146
总下载数(次)
26
总被引数(次)
88536
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