电子束直写模版电沉积制备图案化磁记录介质

• 作者: 丁玉成 叶向东 李涤尘 钞书哲
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 图案化磁记录介质 电子束直写光刻 电沉积 不均匀
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 专题研究
• 页码范围: 27-30
• 页数: 4页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2009.03.006

摘要

以电子束直写光刻图形为模版,采用直流电沉积和数值模拟的方法,研究了镍纳米柱阵列图案化磁记录介质的制备工艺和模版电沉积过程中的沉积不均匀问题.研究结果表明,在加速电压、曝光电流确定的条件下,电子束直写光刻模版孔径由曝光时间决定,模版的孔径和孔距在10 nm量级精确可调.在纳米孔阵列模版中进行电沉积时,适当增大孔距,降低阴极电解电势,可以减小电沉积过程中相邻孔之间的相互干扰,提高电沉积的均匀性,从而为图案化磁记录介质的电沉积制备提供了一种新的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李涤尘	西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室	322	3761	29.0	47.0
2	丁玉成	西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室	128	1941	23.0	39.0
3	钞书哲	西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
4	叶向东	西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室	1	2	1.0	1.0