低能电子束散射模拟在邻近效应修正中的应用

• 作者: 刘成 夏伟 杨旋 江建军 黎冰
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 低能电子束曝光 Monte Carlo模拟 二次电子 邻近效应修正
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 185-188,197
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2006.03.053

摘要

文章运用Monte Carlo方法模拟具有高斯分布特征的低能入射电子束斑在PMMA-衬底中的复杂散射过程,分别得到了电子束在抗蚀剂中的穿透深度和能量沉积分布图,并利用模拟结果进行邻近效应的修正,得到修正后的剂量数据文件.结果表明:采用修正后的剂量曝光,光刻胶中的能量沉积比较均匀,曝光分辨率有较大幅度的提高.该研究将对低能电子束曝光技术的定量研究和邻近效应修正技术的探索具有较高的理论指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江建军	华中科技大学电子科学与技术系	105	993	18.0	25.0
2	夏伟	华中科技大学电子科学与技术系	18	83	5.0	8.0
3	黎冰	华中科技大学电子科学与技术系	2	19	2.0	2.0
4	刘成	华中科技大学电子科学与技术系	17	150	5.0	12.0
5	杨旋	华中科技大学电子科学与技术系	9	6	2.0	2.0