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电子束光刻“自主可控”EDA软件HNU-EBL
电子束光刻“自主可控”EDA软件HNU-EBL
作者:
姚文泽
徐宏成
赵浩杰
刘薇
侯程阳
陈艺勤
段辉高
刘杰
原文服务方:
湖南大学学报(自然科学版)
电子束光刻
计算光刻
Monte Carlo方法
邻近效应校正
EDA软件
摘要:
为模拟和优化电子束光刻(Electron Beam Lithography,EBL)工艺过程,提高电子束光刻版图加工质量,依托湖南大学(Hunan University,HNU)开发了一套电子束光刻的“自主可控”国产电子设计自动化(Electronic Design Automation,EDA)软件HNU-EBL.该软件实现了以下主要功能:1)基于 Monte Carlo 方法计算电子束在光刻胶和衬底中的散射过程与运动轨迹;2)基于多高斯加指数函数模型计算拟合出电子束散射的点扩散函数;3)基于 GDSII光刻版图文件矩阵化,进行邻近效应、雾效应等校正计算,优化电子束曝光剂量;4)基于卷积计算,计算出给定曝光剂量下的能量沉积密度,并计算出边缘放置误差等光刻加工质量关键指标 .基于该软件,通过异或门(Exclusive OR,XOR)集成电路的光刻版图算例,计算在聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate,PMMA)光刻胶和硅衬底中 10 kV 电子束的光刻工艺过程 .通过对比电子束邻近效应校正前后的显影版图,验证了该软件的有效性 .在完全相同的计算硬件和算例条件下,与主流同类进口EDA软件进行了对比,证实了在同等精度下,本软件具有更高的计算效率.已建立http://www.ebeam.com.cn网站,将HNU-EBL软件免费授权给EBL用户使用.
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文献信息
篇名
电子束光刻“自主可控”EDA软件HNU-EBL
来源期刊
湖南大学学报(自然科学版)
学科
关键词
电子束光刻
计算光刻
Monte Carlo方法
邻近效应校正
EDA软件
年,卷(期)
2022,(10)
所属期刊栏目
电气与信息工程
研究方向
页码范围
183-191
页数
8页
分类号
TP319
字数
语种
中文
DOI
10.16339/j.cnki.hdxbzkb.2022239
五维指标
传播情况
被引次数趋势
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研究主题发展历程
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电子束光刻
计算光刻
Monte Carlo方法
邻近效应校正
EDA软件
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
湖南大学学报(自然科学版)
主办单位:
湖南大学
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-2974
CN:
43-1061/N
开本:
16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1956-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
4768
总下载数(次)
0
总被引数(次)
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