同轴电缆头和转接头HPM击穿现象初步分析

• 作者: 宁辉 宋晓欣 李平 杨志强 王宏军 章勇华
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 微波击穿 同轴电缆 转接头 高功率微波
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 233-236
• 页数: 4页
• 分类号: TN015
• 字数: 2362字
• 语种: 中文

摘要

介绍了同轴电缆头和转接头的HPM击穿实验研究方法,给出了几种电缆头和转接头微波击穿功率随微波频率、脉冲宽度、重复频率和脉冲持续时间变化规律的实验研究结果.结果表明:微波击穿发生在同轴电缆头连接处,是电缆接头沿面滑闪,且击穿功率随同轴电缆及转接头尺寸的减小而降低;击穿功率也随微波脉冲宽度(30 ns～1 μs)的增大而减小,并且在100 ns附近有一拐点;在低重复频率(1～1000 Hz)下,重频对击穿功率的影响不大;微波频率在2.856～9.37 GHz变化时,微波频率对击穿功率的影响不明显;微波脉冲宽度较窄时(几十ns以下),击穿功率随持续时间变化不大,脉冲宽度较宽时(百ns以上),击穿阈值随持续时间的增大而下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁辉		28	115	7.0	10.0
2	李平		14	130	5.0	11.0
3	章勇华		6	31	4.0	5.0
4	杨志强		14	84	4.0	9.0
5	王宏军		14	127	6.0	11.0
6	宋晓欣		15	286	7.0	15.0