粉料表面氧含量对GPS烧结氮化硅陶瓷显微结构的影响

• 作者: 代建清 张立明 马天 黄勇
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 表面氧含量 晶界相 析晶相
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 189-193
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174.1
• 字数: 4486字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2005.02.005

摘要

通过研究GPS烧结氮化硅陶瓷的室温和高温抗弯强度、晶界相含量和成分以及晶界析晶相随氮化硅粉料表面氧含量的变化规律,发现当粉料表面氧含量低于1.35 mg/m2时,氮化硅陶瓷在室温下的抗弯强度基本保持不变.试样在1200℃时的抗弯强度明显低于室温强度,且随着粉料表面氧含量的增加有一最高值.由于烧结助剂引入的O和Si在烧结过程中的还原气氛下发生反应而损失,烧结体中晶界相的实际含量显著低于粉料中烧结助剂的加入量.随粉料表面氧含量的增加,氮化硅陶瓷烧结体中的二次析晶相α-Y2Si2O7和β-Y2Si2O7消失,只有β-Si3N4晶相和晶界玻璃相存在.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄勇	清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	173	2711	27.0	42.0
2	代建清	清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	13	173	7.0	13.0
3	马天	清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	15	255	8.0	15.0
4	张立明	清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	10	75	4.0	8.0