考虑填充哑元的有效三维互连电容提取与分析

• 作者: 喻文健 张梦生 王泽毅
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 数学
• 关键词: 寄生电容提取 悬浮金属哑元 化学-机械抛光 边界元法 虚拟多介质
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 667-670
• 页数: 4页
• 分类号: O241
• 字数: 3578字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2005.04.018

摘要

向集成电路版图中填充金属哑元(dummy)可减少化学-机械抛光所产生的介质厚度差异,同时它也给传统的寄生电容提取工具带来性能上的巨大挑战.本文基于虚拟多介质加速的直接边界元法,提出一种有效处理含有哑元填充互连结构的三维电容提取算法.通过采用悬浮(floating)边界条件和有效的方程形成和求解方法,该算法在保持高精度的同时,速度比Raphael快几千倍、比文[5]中方法快十多倍.利用本文算法,还对含哑元结构进行了一系列试验,分析其对互连电容的影响,有助于集成电路的优化设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	喻文健	清华大学计算机科学与技术系设计自动化实验室	29	100	5.0	8.0
2	王泽毅	清华大学计算机科学与技术系设计自动化实验室	35	124	6.0	9.0
3	张梦生	清华大学计算机科学与技术系设计自动化实验室	2	4	2.0	2.0