纳米ZnO压敏电阻的制备及性能研究

• 作者: 卫英慧 张敏刚 胡兰青 许并社 闫晓燕
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO 压敏电阻 纳米
• 年，卷（期）: 2005,（z2）
• 所属期刊栏目: 纳米合成材料、技术与应用
• 页码范围: 43-44,52
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.93
• 字数: 2036字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2005.z2.013

摘要

研究了ZnO纳米粉制备压敏电阻的工艺条件,得出其最佳烧结温度为1200℃,与普通ZnO粉体制备的压敏陶瓷相比,纳米ZnO压敏电阻非线性性能好、结构均匀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡兰青	太原理工大学材料科学与工程学院	48	448	13.0	20.0
2	卫英慧	太原理工大学材料科学与工程学院	166	1066	16.0	24.0
3	许并社	太原理工大学材料科学与工程学院	335	3432	28.0	45.0
4	张敏刚	太原科技大学材料科学与工程学院	103	263	7.0	11.0
5	闫晓燕	太原科技大学材料科学与工程学院	9	11	3.0	3.0