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任意形状旁瓣波束形成技术研究
任意形状旁瓣波束形成技术研究
作者:
幸高翔
蔡志明
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
波束形成
任意形状旁瓣
自适应加权
基元方向性
摘要:
在自适应零陷形成的基础上,提出了一种自适应加权算法,用于任意阵型阵列构成具有任意形状旁瓣的波束图,并考虑基元方向性对波束图的影响.给出了实现自适应加权算法的三个步骤,预先设定所需旁瓣形状及旁栽瓣级,采用循环,最终使旁瓣与预设形状吻合.将该算法用于均匀线阵和抛物线阵,均得到期望的结果,并与道夫-切比雪夫加权作了相应比较.研究表明,基元的方向性对该算法波束形成的影响很小,新算法可以消除基元宽带方向性对波束的影响.
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任意阵列
波束形成
自适应
零陷加宽
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篇名
任意形状旁瓣波束形成技术研究
来源期刊
电子学报
学科
工学
关键词
波束形成
任意形状旁瓣
自适应加权
基元方向性
年,卷(期)
2005,(12)
所属期刊栏目
学术论文
研究方向
页码范围
2157-2160
页数
4页
分类号
TN911.7
字数
3710字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0372-2112.2005.12.014
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
蔡志明
海军工程大学电子工程学院电子工程系
147
965
14.0
23.0
2
幸高翔
海军工程大学电子工程学院电子工程系
16
56
5.0
6.0
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引文网络
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任意形状旁瓣
自适应加权
基元方向性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子学报
主办单位:
中国电子学会
出版周期:
月刊
ISSN:
0372-2112
CN:
11-2087/TN
开本:
大16开
出版地:
北京165信箱
邮发代号:
2-891
创刊时间:
1962
语种:
chi
出版文献量(篇)
11181
总下载数(次)
11
总被引数(次)
206555
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