可替代65nm以上混载DRAM的高密度内存

• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: DRAM 内存单元 高密度 混载 可替代 65nm工艺 MOS晶体管 系统级芯片 SOC 电容器
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 页码范围: 138
• 页数: 1页
• 分类号: TP333

摘要

瑞萨科技日前开发出一款面向65nm工艺以上SoC（系统级芯片）混载用途的高密度内存“TTRAM（twin transistor RAM）”。旨在取代传统的SoC混载DRAM。TTRAM由2个在SOI（Silicon On Insulator）底板上形成内存单元的MOS晶体管构成。由于无需使用传统DRAM必备的电容器，所以采用65nm以上工艺仍可能继续增大密度。