解理硅微结构的声子形变潜能

• 作者: 张文栋 张斌珍 薛晨阳 陈建军
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: Voigt-Reuss-Hill平均 微纳米材料 声子形变潜能 定向生长 硅
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 微纳米材料及特性
• 页码范围: 334-336
• 页数: 3页
• 分类号: TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.117

摘要

利用Voigt-Reuss-Hill平均方法,对不同生长方向的微纳米材料结构的声子形变潜能进行了计算,得出了硅纳米材料不同生长方向上的声子形变潜能,为硅材料的定向生长提供了较好的参考依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张文栋	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	167	1172	16.0	26.0
2	薛晨阳	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	136	765	14.0	21.0
3	张斌珍	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	107	535	12.0	18.0
4	陈建军	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	17	54	4.0	6.0