AlGaAs湿法氧化特性实验研究

• 作者: 曾丽娜 赵英杰 钟景昌
• 来源期刊: 大气与环境光学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化物限制 湿法氧化
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 光电技术
• 页码范围: 73-76
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2753字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-6141.2006.01.013

摘要

研究了AlxGa1-xAs/GaAs材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400～500℃与水汽发生氧化反应的氧化特性.许多影响因素,如待氧化层厚度、组分、氧化温度、气体流量都不同程度影响氧化速率,影响到氧化物限制工艺的整体质量.实验得到AlxGa1-xAs中x值、厚度、氧化温度等因素与氧化速率有关,并发现气流量对AlxGa1-xAs层的氧化过程有重要的影响,实验测定了气流量与AlxGa1-xAs层氧化速率的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟景昌	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	20	129	7.0	10.0
2	赵英杰	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	21	148	7.0	11.0
3	曾丽娜	长春理工大学机电工程学院	4	6	1.0	2.0