用Al或Mo/Al/Mo低阻材料改善4-Mask工艺中Al腐蚀的方法

• 作者: 劉聖烈 崔螢石 李禹奉 李貞烈 柳在一 金奉柱
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 液晶显示器 腐蚀 Al,Mo/Al/Mo 等离子体处理
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 501-505
• 页数: 5页
• 分类号: TN873.93|TN305.7
• 字数: 362字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.020

摘要

为了减少制造工艺的过程,改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善.但这个工艺仍存在很多问题,主要是为减少工艺过程,而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用.本文应用CF4/O2等离子体处理,很好地阻止了对Al的腐蚀,得到很好的效果,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义.