改善4-Mask工艺Al腐蚀的方法

• 作者: 刘杰 吴成龙 宋泳珍 张光明 徐守宇 曲泓铭 李伟 李正動 郑云友
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 有源层 腐蚀
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 器件物理及器件制备技术
• 页码范围: 224-227
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1974字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20132802.0224

摘要

为了减少制造工艺的流程,改进的4-Mask工艺被广泛应用.但这个工艺仍存在一些问题,如果有源层刻蚀和第二次源漏数据线刻蚀之间间隔时间较长(≥5.9h),则有源层刻蚀所用气体Cl2形成的活化分子会对沟道内Al造成腐蚀.除了缩短上述间隔时间的方法外,本文应用有源层刻蚀后处理加入SF6/O2的方法,很好地阻止了对Al的腐蚀,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义.