Si(001)表面稀土金属硅化物纳米结构

• 作者: 丁涛 蔡群
• 来源期刊: 物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 稀土金属硅化物 纳米结构 自组装生长 Si(001)表面
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 前沿进展
• 页码范围: 865-872
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 5351字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2006.10.011

摘要

稀土金属元素的硅化物在n型硅衬底上具有高电导率和低肖特基势垒的特点,在大规模集成的微电子器件领域具有很好的应用价值.文章系统介绍了在Si(001)表面自组装生长的稀土金属硅化物纳米结构的研究进展,较全面地讨论了退火温度、退火时间以及稀土金属表面覆盖度等生长条件对纳米结构生长的影响作用,并在此基础上分析了纳米线、纳米岛的晶化结构,衬底对纳米结构生长的影响,以及纳米结构的演化过程.搞清楚这些内在的生长机理,有助于人们今后实现可严格控制稀土金属硅化物纳米结构的形貌尺寸和分布的自组装生长.此外,文章还介绍了目前人们对稀土金属硅化物纳米线电学性质的研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁涛	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
2	蔡群	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	3	7	2.0	2.0