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平面型硅光电二极管PIN的研制及其基本性能测试
平面型硅光电二极管PIN的研制及其基本性能测试
作者:
周书华
孟秋英
宁宝俊
张太平
张录
李成波
田大宇
袁坚
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
PIN
结电容
漏电流
量子效率
等效噪声电荷
摘要:
为满足CERN/ALICE超高能重离子对撞实验光子谱仪的需要,首次采用高阻硅材料,并利用一些特殊工艺,研制了用于钨酸铅晶体探测器读出单元的硅光电二极管PIN.PIN的灵敏区面积为16mm×17mm,常温漏电流小于5 nA,紫光区量子效率82%,全耗尽结电容为110-120pF.由PIN与电荷灵敏前置放大器组成的读出系统的噪声水平,在-25℃下小于600个等效噪声电荷,并经过了长期性能稳定性的考验.开发研制的大面积PIN硅光管全面达到ALICE/PHOS国际招标所规定PIN硅光管性能的指标.
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文献信息
篇名
平面型硅光电二极管PIN的研制及其基本性能测试
来源期刊
核技术
学科
工学
关键词
PIN
结电容
漏电流
量子效率
等效噪声电荷
年,卷(期)
2006,(4)
所属期刊栏目
先进探测仪器及方法
研究方向
页码范围
305-308
页数
4页
分类号
TL814
字数
3247字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-3219.2006.04.016
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
李成波
5
5
1.0
2.0
2
周书华
45
12
2.0
3.0
3
孟秋英
7
7
2.0
2.0
4
宁宝俊
北京大学微电子研究所
15
100
5.0
9.0
5
张太平
北京大学微电子研究所
8
77
5.0
8.0
6
张录
北京大学微电子研究所
7
30
4.0
5.0
7
田大宇
北京大学微电子研究所
12
46
5.0
6.0
8
袁坚
4
8
2.0
2.0
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2019(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
PIN
结电容
漏电流
量子效率
等效噪声电荷
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
核技术
主办单位:
中国科学院上海应用物理研究所
中国核学会
出版周期:
月刊
ISSN:
0253-3219
CN:
31-1342/TL
开本:
大16开
出版地:
上海市800-204信箱
邮发代号:
4-243
创刊时间:
1978
语种:
chi
出版文献量(篇)
4560
总下载数(次)
14
总被引数(次)
18959
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