自旋对SiC半导体二维磁极化子基态能量的影响

• 作者: 房本英 李子军 李岗 王子安
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC 半导体 电子自旋 弱耦合二维磁极化子 基态能量
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 光物理
• 页码范围: 248-252
• 页数: 5页
• 分类号: O471.3
• 字数: 3725字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2006.02.029

摘要

应用线性组合算符和微扰法研究了电子自旋对SiC半导体性质的影响.基态能量E+0(对应于电子自旋量子数为正)和E-0(对应于电子自旋量子数为负)都随磁场增加而线性减少:在0 T时,E+0和E-0都为-76.24 meV;在25 T时,E+0和E-0分别为-68.50 meV和-71.39 meV.自旋能量与E+0和E-0之比P+0和P-0都随磁场增加而快速增加:在0 T时,P+0和P-0都为0;在20 T时,P+0为0.627;在25 T时,P-0为0.453.自旋能量与Landau基态能量之比P2始终为0.23.自旋能量与自能和声子之间相互作用能量之比P1和P3都随磁场增加而线性增加:在0 T时,P1和P3都为0;在5 T时,P3为0.628;在40 T时,P1为0.306.这些数据和结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管、自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李子军	烟台大学光电学院	18	54	5.0	6.0
2	王子安	内蒙古民族大学物理系	5	19	3.0	4.0
3	房本英	烟台大学光电学院	1	1	1.0	1.0
4	李岗	烟台大学光电学院	5	5	1.0	1.0