13.5-14.6MeV中子能区锗的同位素反应截面的测量

• 作者: 严冬 关秋云 蒲忠胜 马军
• 来源期刊: 高能物理与核物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 锗 中子反应 反应截面 活化法
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 核与重离子物理
• 页码范围: 1171-1174
• 页数: 4页
• 分类号: O57
• 字数: 1638字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3052.2006.12.004

摘要

报道了在13.5-14.6MeV中子能区用活化法测得的76Ge(n,2n)75Ge,70Ge(n,2n)69Ge,70Ge(n,p)70Ga,72Ge(n,p)72Ga,73Ge(n,p)73Ga,72Ge(n,α)69mZn和74Ge(n,α)71mZn的反应截面值.中子注量用93Nb(n,2n)92mNb反应截面得到.单能中子由T(d,n)4He反应获得.同时还列举了已收集到的文献值以作比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严冬	兰州理工大学理学院物理系	7	18	2.0	4.0
2	蒲忠胜	兰州理工大学理学院物理系	32	110	7.0	9.0
3	马军	兰州理工大学理学院物理系	41	341	10.0	17.0
4	关秋云	兰州理工大学理学院物理系	6	10	2.0	3.0