GaAlAs红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响

• 作者: 包军林 庄奕琪 李伟华 李聪 杜磊 马仲发
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 红外发光二极管 1/f噪声 功率老化 陷阱
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2893字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2006.01.009

摘要

在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaAlAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区y=1,在大电流区y≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaAlAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaAlAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaAlAs IR LEDs的潜在缺陷.