孤立分散在SiO2基质中的半导体InSb纳米颗粒界面效应的MS-XANES研究

• 作者: 吴自玉 陈栋梁 韦世强
• 来源期刊: 高能物理与核物理
• 学科: 物理学
• 关键词: InSb纳米颗粒 界面效应 MS-XANES计算
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 同步辐射,自由电子激光,核技术应用等
• 页码范围: 476-480
• 页数: 5页
• 分类号: O57
• 字数: 4208字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-3052.2006.05.020

摘要

利用MS-XANES计算研究了嵌入在SiO2介质中的InSb纳米颗粒的界面效应,结果显示SbK-XANES实验谱在白线峰强度增大和自线峰向高能一侧展宽这两个特点的起因是:1.SiO2介质透过界面处强的Sb-O共价键间接地影响和改变了InSb团簇中Sb原子内部的势分布;2.通过InSb纳米颗粒界面处存在着强的Sb-O共价键使得Sb原子的5p电子被耗尽来提高InSb纳米颗粒Sb原子的5p的空穴数.这两方面共同决定了InSb纳米颗粒的Sb K-XANES实验谱在白线峰强度的增大.此外,由于纳米颗粒的界面效应,仅仅把白线峰的强度增大归因于吸收原子电荷转移带来的空穴数增加,并依此通过白线峰的强度计算吸收原子的空穴数是不合理的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈栋梁	中国科学院高能物理研究所	46	514	13.0	22.0
2	韦世强	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	51	239	7.0	14.0
3	吴自玉	中国科学院高能物理研究所	41	387	11.0	18.0