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摘要:
研究了任意倾斜的直流偏置磁场作用下磁光薄膜中激发的微波静磁波传播规律,为下一步分析基于静磁波的磁光Bragg器件衍射性能提供基础.计算了YIG薄膜中传播的静磁正向体波特性,结果表明:在倾斜偏置磁场中沿不同方向激发的静磁波具有不同的辐射阻抗,这与垂直磁化情形明显不同;适当倾斜偏置磁场可降低静磁波的插入损耗,从而可增强静磁波对导波光的衍射效应.
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文献信息
篇名 任意偏置磁场中微波静磁波传播特性
来源期刊 电子科技大学学报 学科 物理学
关键词 静磁波 磁光薄膜 微波网络 微带线变换器 Bragg器件
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目 通信与信息工程
研究方向 页码范围 29-31,39
页数 4页 分类号 O482.5
字数 1542字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-0548.2006.01.008
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序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 武保剑 电子科技大学通信与信息工程学院 72 198 7.0 11.0
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电子科技大学学报
双月刊
1001-0548
51-1207/T
大16开
成都市成华区建设北路二段四号
62-34
1959
chi
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