外加偏置磁场对静磁波模式及其频带的影响

• 作者: 史双瑾 孙维勇 武保剑 邱昆 陈福深
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 静磁波 偏置磁场 磁光薄膜 Bragg器件
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 2198-2200
• 页数: 3页
• 分类号: O482.5
• 字数: 1893字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2007.11.032

摘要

本文完整地展现了磁光薄膜中任意倾斜的外加直流偏置磁场对微波静磁波激发模式及其带宽的影响,实现了对不同静磁模的统一考虑,为进一步分析磁光Bragg器件的衍射性能提供理论基础.计算分析表明:(1)当外加偏置磁场的大小不变时,传统磁化情形下的静磁波带宽最大,此时基于静磁反向体波(MSBVW)的磁光Bragg器件较相应的静磁正向体波(MSFVW)器件有更高的工作频率;(2)在适当倾斜的偏置磁场作用下,MSBVW、MSFVW和静磁表面波(MSSW)均可被激发,它们的激发频率依次增大;(3)通过倾斜偏置磁场可使MSFVW的频带向高频移动.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱昆	电子科技大学宽带光纤传输与通信网技术教育部重点实验室	128	605	12.0	17.0
2	武保剑	电子科技大学宽带光纤传输与通信网技术教育部重点实验室	72	198	7.0	11.0
3	陈福深	电子科技大学宽带光纤传输与通信网技术教育部重点实验室	68	326	9.0	14.0
4	史双瑾	电子科技大学宽带光纤传输与通信网技术教育部重点实验室	13	86	5.0	9.0
5	孙维勇	电子科技大学宽带光纤传输与通信网技术教育部重点实验室	2	3	1.0	1.0