第二代接近式X射线光刻技术

• 作者: 谢常青
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 第二代接近式X射线光刻 X射线 掩模 光刻胶 步进光刻机 光源
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 4650字
• 语种: 中文

摘要

介绍了第二代PXL的原理和影响光刻分辨率的关键因素,当第二代PXL工艺因子为0.8时,对于50 nm及35 nm节点分辨率,掩模与硅片的间距可以分别达到10 μm和5 μm,表明第二代PXL具有很大的工艺宽容度;分析了纳米X射线掩模的具体结构、制作工艺和成本,相对于其竞争对手,在100 nm节点及其以下,X射线掩模的制造难度和成本是比较低的,而且随着电子束直写X射线掩模能力的进一步提高,X射线掩模更具优势;对几种常用的X射线光刻胶性能进行了分析,高性能的X射线光刻胶的研发不会成为PXL发展的障碍;对步进光刻机和X射线光源进行了论述,X射线点光源的研究进展对于第二代PXL的发展至关重要;最后介绍了第二代接近式X射线光刻的研究现状,尽管PXL的工业基础比起其它下一代光刻来说要好得多,但是比起光学光刻还差得很远,第二代PXL是否真正为硅基超大规模集成电路生产所接受目前还不得而知.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢常青	中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成实验室	50	258	9.0	12.0