掺杂对高导MnZn铁氧体材料性能的影响

• 作者: 何华辉 冯则坤 李喜雄 黄爱萍
• 来源期刊: 华中科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: MnZn铁氧体 SnO2 Nb2O5 高磁导率
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 39-41
• 页数: 3页
• 分类号: TM277+.1
• 字数: 2484字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2006.02.013

摘要

采用传统陶瓷工艺制备了高磁导率MnZn铁氧体材料.从分析材料微观结构入手,研究了SnO2和Nb2O5掺杂对高磁导率MnZn铁氧体材料性能的影响.Sn4+能进入尖晶石晶格内,由于电中性条件可使Fe3+转化为Fe2+并生成相对稳定的Sn4+-Fe2+对,从而有效补偿磁晶各向异性常数K1,且Sn4+可促进晶粒均匀生长,提高材料的起始磁导率及烧结密度,有效降低材料的比损耗因子.Nb2O5的添加起到细化晶粒的作用,可以改善材料的频率特性,降低材料损耗,磁导率稍有降低,但当Nb2O5的质量分数大于0.005 %时会显著降低材料的起始磁导率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何华辉	华中科技大学电子科学与技术系	110	1350	20.0	29.0
2	冯则坤	华中科技大学电子科学与技术系	109	961	18.0	25.0
3	黄爱萍	华中科技大学电子科学与技术系	13	182	8.0	13.0
4	李喜雄	江门市粉末冶金厂有限公司材料开发中心	2	34	2.0	2.0