EUV掩模版在曝光过程中的热变形

• 作者: 周鹏飞 尚永红 李艳秋
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 极紫外光刻 热变形 掩模版 曝光 有限元方法 抗蚀剂
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 光子束技术
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2437字
• 语种: 中文

摘要

极紫外光刻(EUVL)技术是实现45 nm特征尺寸的候选技术之一,产业化设备要求300 mm硅片的产率大于每小时80片(80 wafer/h),此时入射到掩模版上的极紫外光功率密度很高,掩模版上的吸收层和Mo/Si多层膜将分别吸收100%和35%的入射光能量,从而导致其热变形,引起光刻性能下降,因此必须分析和控制掩模热变形.利用有限元方法分析掩模版在不同功率密度下的热变形,结果表明,抗蚀剂灵敏度为7 mJ/cm2和5 mJ/cm2时,入射到掩模版上的光功率密度分别为259.24 W/cm2和184.38 W/cm2,掩模版图形区域x-y平面内最大变形分别为1.11 nm和0.71 nm,z方向最大变形分别为0.26 nm和0.19 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李艳秋	中国科学院电工研究所	35	388	12.0	18.0
2	尚永红	中国科学院电工研究所	12	143	6.0	11.0
3	周鹏飞	中国科学院电工研究所	3	13	3.0	3.0