磁场诱导Gd5Ge4体系的低温输运跳跃和相分离研究

• 作者: 刘永生 张晓勇 张金仓 敬超 曹世勋 曹桂新
• 来源期刊: 低温物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Gd5Ge4合金 相分离 台阶式磁化 磁电阻效应
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 305-310
• 页数: 6页
• 分类号: O51
• 字数: 5145字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3258.2006.04.001

摘要

报告了作者对Gd5Ge4合金样品进行了磁化和电输运测量的研究结果,实验表明,磁化强度随外磁场的增加而出现台阶式跳跃,磁转变的可逆性与温度存在有密切的关联. 在由磁场导致的磁转变附近电阻率随着磁场的增加亦表现出台阶式磁电阻现象,并在不同温区表现出正负不同的磁电阻效应,4.2 K时呈现正磁电阻效应,而在16和20 K时呈现出负磁阻效应,即铁磁相的阻值小于反铁磁相的阻值. 结果证明了在Gd5Ge4中存在的典型相分离特征,从而在磁场诱导下发生了反铁磁到铁磁的转变,并对这种奇异磁电阻效应的物理机制进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹世勋	上海大学物理系	83	211	8.0	12.0
2	敬超	上海大学物理系	36	105	6.0	8.0
3	张金仓	上海大学物理系	93	237	8.0	11.0
4	张晓勇	上海大学物理系	3	7	1.0	2.0
5	曹桂新	上海大学物理系	21	76	5.0	8.0
6	刘永生	上海大学物理系	6	49	3.0	6.0