高功率、高效率线阵半导体激光器的阳极氧化制备方法

• 作者: 张晶 曲轶 李辉 薄报学 高欣
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 半导体激光器 阳极氧化 应变量子阱 线阵激光器
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 激光器件
• 页码范围: 1013-1016
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2754字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2006.08.002

摘要

在分子束外延(MBE)生长的基础上,采用脉冲阳极氧化工艺制作了非对称、宽波导InGaAlAs/AlGaAs/GaAs应变双量子阱(DQW)结构准连续(QCW)线阵半导体激光器,实现了808 nm波段线阵激光器的高效率、高功率运转.脉冲阳极氧化工艺主要用于器件工艺中的蚀刻与绝缘膜制备,电解液采用乙二醇∶去离子水∶磷酸∶2%盐酸的体积比为40∶20∶1∶1的混合溶液.研制的准连续线阵半导体激光器的填充因子约为72.7%,100 Hz,200μs准连续工作条件下的阈值电流约为24 A,斜率效率达到1.25 W/A,最大电-光转换效率达到51%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李辉	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	19	94	6.0	9.0
2	张晶	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	41	196	7.0	12.0
3	曲轶	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	39	163	7.0	11.0
4	高欣	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	38	214	8.0	13.0
5	薄报学	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	44	252	9.0	14.0