n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管

• 作者: 吕有明 姚斌 张吉英 张振中 李炳辉 申德振 矫淑杰 范希武 赵东旭
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 等离体辅助分子束外延 异质结 发光二极管
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 499-502
• 页数: 4页
• 分类号: O482.31|TN383.1
• 字数: 1976字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2006.04.013

摘要

用等离子体辅助分子束外延的方法生长了n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质结发光二极管.I-V测量表明其具有典型的二极管整流特性.电致发光峰位于382 nm,通过与n型ZnO和p型GaN的光致发光谱比较,其发光峰位与线形都与ZnO的自由激子发射一致,表明该电致发光来自于ZnO的自由激子发射.通过Anderson模型比较了n-ZnO/i-MgO/p-GaN和n-ZnO/p-GaN异质结的能带示意图,证明了由于MgO层的插入抑制了ZnO向GaN层中的电子注入,且有利于空穴向ZnO层注入,从而实现了ZnO层中的电注入发光.