n-ZnO/p-GaN异质结构发光二极管的制备与特性

• 作者: 刘伟 刘松民 叶建东 周昕 张荣 施毅 朱顺明 胡立群 郑有炓 顾书林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO/GaN异质结构 发光二极管 金属有机气相外延 腐蚀工艺
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 249-253
• 页数: 5页
• 分类号: TN312+.8
• 字数: 1320字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.010

摘要

报道了n-ZnO/p-GaN异质结构发光二极管的制备及其发光特性.采用金属有机气相外延技术在Mg掺杂p型GaN衬底上外延n型ZnO薄膜以形成p-n结.实验发现在一定配比的HF酸和NH4Cl溶液中,腐蚀深度和腐蚀时间呈线性关系,并且二氧化硅和ZnO的腐蚀速率得到很好的控制,这对器件制备的可靠性非常重要.电流-电压(I-V)特性测试显示该器件结构具有明显的整流特性.室温下,在正反向偏压状态下都可用肉眼观察到电致发光现象.同时,通过与光致发光谱进行比较,对电致发光谱中发光峰的起源和发光机制进行了探讨.