InGaP/GaAs HBT器件研究中的几个重要问题

• 作者: 孙晓玮 徐安怀 林玲 齐鸣
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结双极晶体管(HBT) InGaP/GaAs 阻挡层 离子注入
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 工程与应用
• 页码范围: 254-257
• 页数: 4页
• 分类号: TN385
• 字数: 2578字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2006.03.009

摘要

本文分析了InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)微波器件研制中的一些重要问题,优化了发射结阻挡层厚度,解决离子注入实现器件隔离的问题,设计制备出发射极尺寸为(3μm×40μm)×3的HBT单管,并进行了测试.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙晓玮	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	97	828	16.0	23.0
2	林玲	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	16	132	6.0	11.0
6	齐鸣	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	34	145	8.0	9.0
7	徐安怀	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	20	94	7.0	8.0