硅烷膜的阴极电化学辅助沉积及其防护性能

• 作者: 张卫民 胡吉明
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 化学
• 关键词: 硅烷膜 电化学辅助沉积 铝合金 防腐蚀
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 295-298
• 页数: 4页
• 分类号: TG174|O646
• 字数: 3660字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2006.03.012

摘要

采用电化学辅助技术在LY12铝合金表面沉积了两种防护性硅烷膜(1,2-二-(三乙氧基硅基)乙烷(BTSE)膜与十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)膜).电化学阻抗谱测试结果显示,经硅烷化处理后铝合金的耐蚀性能得到大幅度提高,并且发现在阴极电位下沉积所得硅烷膜的耐蚀性能较常规"浸涂法"有明显提高;两种硅烷膜均存在一个最佳的"临界阴极电位"(-0.8V),在此电位下制得的膜耐蚀性最佳.扫描电镜观察显示临界电位下所得硅烷膜最为完整致密,电位过正不利于成膜,而电位继续变负膜表面呈现多孔形貌,可能与氢气的生成并溢出破坏表面有关.由于在硅烷分子中含有疏水性较强的十二烷基长链,DTMS膜具有更好的耐蚀性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡吉明	浙江大学化学系	43	1093	19.0	33.0
2	张卫民		26	150	6.0	11.0