化学浴沉积法制备纳米氧化亚铜薄膜

• 作者: 余颖 刘明辉 唐一文 张丽莎 贾志勇
• 来源期刊: 华中师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 纳米氧化亚铜 化学浴沉积法 改进 薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 75-78
• 页数: 4页
• 分类号: O614.1
• 字数: 2872字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-1190.2006.01.017

摘要

用改进后的化学浴沉积法制备了纳米Cu2O薄膜,并对成膜条件及膜的性能进行了研究.结果表明:化学浴沉积法改进后有利于制备高质量的纳米Cu2O薄膜;最佳反应温度为60～70℃,此温度范围内Cu2O薄膜的膜厚随着循环次数线性增加,制备的薄膜纯度较高,表面较平整和致密,Cu2O粒径为14～22 nm,其禁带宽度为2.01 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余颖	华中师范大学纳米科技研究院	30	566	15.0	23.0
2	唐一文	华中师范大学纳米科技研究院	22	257	8.0	16.0
3	贾志勇	华中师范大学纳米科技研究院	4	113	4.0	4.0
4	张丽莎	华中师范大学纳米科技研究院	6	187	6.0	6.0